褚君浩，红外物理学家、半导体物理和器件专家，中国科学院院士，中国科学院上海技术物理研究所研究员，东华大学理学院院长 。
1966年，褚君浩毕业于上海师范学院（现上海师范大学）物理系。1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位；1986年至1988年，获得德国洪堡基金，赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究。1985年加入九三学社；2005年当选为中国科学院院士。
褚君浩长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。
主要成就
科研成就
科研综述
褚君浩(5张)褚君浩长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性，确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。褚君浩主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理，在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果，HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式（褚、徐、汤）。
学术论著
截至2015年12月，褚君浩发表论文200余篇，研究结果被中国国内外广泛引用并被写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中，被Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人。
科研获奖
1987年，获国家自然科学奖四等奖。1992年，获中国科学院自然科学一等奖。1993年，获国家自然科学奖三等奖。1995年，获中国科学院自然科学二等奖。1999年，获中国科学院自然科学二等奖。2005年，“碲镉汞薄膜的光电跃迁及红外焦平面材料器件研究”获国家自然科学奖二等奖。
人才培养
教学思想
在做好科研的同时，褚君浩也非常重视教育。他认为为人师首先要了解对方，其次教育要达到互动，因为不同的人有不同的接受方式，所以要讲究方法和效率。对学生，他主张除了传授知识外，要充分发挥学生的主观能动性，启发为主，指导为辅。此外，他对学生的研究态度有严格的要求，其核心是踏实和严谨。
指导学生
截至2016年，褚君浩已培养50多名博士，其中获得全国百篇优秀博士论文奖2名，中国科学院院长特别奖2名、优秀奖2名。 荣誉表彰2004年，被评为国家973计划先进个人和国家重点实验室计划先进个人金牛奖。2013年，获得上海首届科普教育创新奖的“科普杰出人物奖”。2014年，被授予第十届“十佳全国优秀科技工作者”称号；12月，入选“第六届全国优秀科技工作者”提名名单，也是上海地区唯一一位提名人选。 2005年，当选为中国科学院院士。 2017年5月，获得全国创新争先奖章；9月，被评为2017感动上海年度人物。
1993-2003年，褚君浩担任红外物理国家重点实验室主任。还担任上海市红外与遥感学会理事长，中国物理学会光物理专业委员会副主任，上海技术物理研究所－华东师范大学成像信息联合实验室共主任。2009年，褚君浩担任上海市政府参事。 褚君浩兼任《红外与毫米波学报》主编，上海市科协副主席。曾担任上海市红外与遥感学会理事长、上海市科普作家协会理事长、国际光学工程学会（SPIE）理事等。
人物评价
褚君浩院士除了在自己的研究领域卓有成就，还热心科普工作，被誉为“心系科普的院士”。（上海技术物理研究所评） 褚君浩喜欢将研究工作比做挖井——选好地点，然后就踏踏实实勤勤恳恳地去探究，直到挖出水来，他被赞誉为“挖井院士”。（九三学社评）褚君浩的人生展现了一个科学家追求卓越、服务社会的境界，他以科研为圆心，以科普和参政议政为两个半径，形成了一个不断向外扩展的同心圆。而这个圆立足于中国，放眼于世界，将一个一流科学家服务于国家和人类社会的精神世界的多面相展露无遗。（上海教育新闻网评）